MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 19 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR462DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3402
Codice costruttore:
SIR462DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiR462DP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Dissipazione di potenza massima Pd

4.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.04mm

Lunghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.89 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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