MOSFET Vishay, canale N 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 19 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR462DP-T1-GE3

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Codice RS:
165-2723
Codice costruttore:
SIR462DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR462DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

4.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

800mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.9mm

Larghezza

5.89mm

Altezza

1.04mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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