MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 19 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-2723
Codice costruttore:: SIR462DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 19 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,414 €

(IVA esclusa)

0,505 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,414 €	1.242,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-2723
Codice costruttore:: SIR462DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	19 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	4,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.89mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	4.9mm
Altezza	1.04mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 19 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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