MOSFET Vishay, canale N 100 V, 47 mΩ Miglioramento, 21 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI7454DDP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9241
Codice costruttore:
SI7454DDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

Si7454DDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

47mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

29.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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