MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 7.1 mΩ Miglioramento, 70 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiRA84BDP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5078
Codice costruttore:
SiRA84BDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiRA84BDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.99mm

Larghezza

5 mm

Altezza

1.07mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
MOSFET a 30 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

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