MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 7.7 mΩ Miglioramento, 50 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR401DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9342
Codice costruttore:
SIR401DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

205nC

Tensione diretta Vf

-1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.26 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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