MOSFET Vishay, canale P, 7,7 mΩ, 50 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6938
Codice costruttore:: SIR401DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 7,7 mΩ, 50 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6938
Codice costruttore:: SIR401DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiR401DP, P-Channel 20V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	50 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	7,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	39 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.26mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	205 nC a 10 V
Altezza	1.12mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 7,7 mΩ, 50 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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