MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 16 mΩ Miglioramento, 18.3 A, 8 Pin, SO-8, Superficie Si4425FDY-T1-GE3
- Codice RS:
- 200-6797
- Codice costruttore:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 200-6797
- Codice costruttore:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 16mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 4.8W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 41nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 16mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 4.8W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il Vishay Si4425FDY-T1-GE3 è un MOSFET 30V (D-S) a canale P.
MOSFET di potenza canale TrenchFET® Gen IV p
Test Rg al 100%