MOSFET Vishay, canale P, 0,0165 O, 19,7 A, SO-8, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di resistenza drain-source di 9,8 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 5,7 W e una corrente di drain continua di 19,7 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è di 4,5 V e 10V rispettivamente. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• PC desktop
• interruttori di carico
• PC notebook

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg testato