MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.0015 Ω Miglioramento, 227 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRS4301DP-T1-GE3

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Codice RS:
279-9959
Codice costruttore:
SIRS4301DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

227A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

SIRS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0015Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

548nC

Dissipazione di potenza massima Pd

132W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

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