Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.0015 Ω Miglioramento, 227 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRS4301DP-T1-GE3

Codice RS:: 279-9959
Codice costruttore:: SIRS4301DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.0015 Ω Miglioramento, 227 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRS4301DP-T1-GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 279-9959
Codice costruttore:: SIRS4301DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	227A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	SIRS
	Tipo di package	SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0015Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	132W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	548nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	5mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 227A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie SIRS
	Tipo di package SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0015Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 132W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 548nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 5mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIRS4301DP-T1-GE3

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Migliora la dissipazione di potenza e riduce l'RthJC

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

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