MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 20.5 mΩ Miglioramento, 14.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4825DDY-T1-GE3

Codice RS:: 180-8134
Codice costruttore:: SI4825DDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 20.5 mΩ Miglioramento, 14.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4825DDY-T1-GE3

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Codice RS:: 180-8134
Codice costruttore:: SI4825DDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	14.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	20.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	29.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.2W
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.75mm
	Larghezza	6.2 mm
	Lunghezza	5mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 14.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SO-8
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 29.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.2W
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.75mm
	Larghezza 6.2 mm
	Lunghezza 5mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 25V. Ha una resistenza drain-source di 12,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 5W e corrente di drain continua di 14,9 A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• interruttore di distribuzione di carico

• interruttore adattatore per notebook

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato