MOSFET Vishay, canale N, P, 8 A, SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 268-8281
Codice costruttore:: SI4534DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, P, 8 A, SO-8, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 5

1,344 €

(IVA esclusa)

1,64 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
5 - 45	1,344 €	6,72 €
50 - 95	1,208 €	6,04 €
100 - 245	0,94 €	4,70 €
250 - 995	0,922 €	4,61 €
1000 +	0,614 €	3,07 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 268-8281
Codice costruttore:: SI4534DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SI4534DY-T1-GE3

Codice RS:: 268-8281
Codice costruttore:: SI4534DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SI4534DY-T1-GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Modalità del canale	Enhancement
Numero di elementi per chip	4
Materiale del transistor	Silicone

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Modalità del canale	Enhancement
Numero di elementi per chip	4
Materiale del transistor	Silicone

MOSFET Vishay, canale N, P, 8 A, SO-8, Montaggio superficiale

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