MOSFET Vishay, canale Tipo P 40 V, 62 mΩ Miglioramento, 7.2 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4447ADY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7948
Codice costruttore:
SI4447ADY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

62mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.7W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.2mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.75mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 45mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 4,2 W e una corrente di drain continua di 7,2 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttore adattatore

• interruttori di carico

• PC notebook

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

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