MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 49 mΩ Miglioramento, 7.2 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4431CDY-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

13,46 €

(IVA esclusa)

16,42 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 200 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
  • Più 660 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 800,673 €13,46 €
100 - 1800,538 €10,76 €
200 - 4800,511 €10,22 €
500 - 9800,485 €9,70 €
1000 +0,457 €9,14 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3215
Codice costruttore:
SI4431CDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

7.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4431CDY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

49mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione diretta Vf

-0.71V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

4.2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Altezza

1.55mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati