MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 49 mΩ Miglioramento, 7.2 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4431CDY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3215
Codice costruttore:
SI4431CDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

7.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4431CDY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

49mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Dissipazione di potenza massima Pd

4.2W

Tensione diretta Vf

-0.71V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.55mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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