2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 150 mΩ, 3.1 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI4948BEY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9008
Codice costruttore:
SI4948BEY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

-0.8V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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