MOSFET Vishay, canale Tipo P -60 V, 0.15 Ω, -2.4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4948BEY-T1-E3
- Codice RS:
- 256-7363
- Codice costruttore:
- SI4948BEY-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 256-7363
- Codice costruttore:
- SI4948BEY-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -2.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -60V | |
| Serie | Si4948BEY | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.15Ω | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.4W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -2.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -60V | ||
Serie Si4948BEY | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.15Ω | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie Si4948BEY di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio -60 V, corrente di drenaggio continua -2,4 A - SI4948BEY-T1-E3
Questo MOSFET è un transistor a montaggio superficiale a canale P progettato per le attività di commutazione e controllo della potenza nei sistemi elettronici. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per l'uso su schede compatte in cui è richiesto un pacchetto SOIC e una gestione della potenza moderata. Il dispositivo è adatto per gli ingegneri che necessitano di un'opzione a canale P con carica di gate specifica e limiti termici per la progettazione a livello di circuito.
Caratteristiche e vantaggi:
• Dispositivo a canale P che supporta la tensione drain-source negativa per la commutazione high-side • Tensione nominale di drenaggio-sorgente di -60 V che consente applicazioni a tensione elevata • Corrente di drenaggio continua massima di -2,4 A che consente una gestione del carico moderata • Bassa resistenza all'accensione di 0,15 Ω che riduce le perdite di conduzione • Carica gate tipica 14,5 nC per facilitare un comportamento di commutazione prevedibile • Dissipazione di potenza 1,4 W per gestire il budget termico in layout ristretti
Applicazioni
• Adatto per interruttori high-side nei moduli di controllo motore • Ideale per la disconnessione del carico nei circuiti di gestione dell'alimentazione • Utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità nelle guide di alimentazione • Può essere utilizzato per la gestione della batteria e il controllo della carica • Adatto per assemblaggi SMD che richiedono transistor a canale P compatti
Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare durante la progettazione?
La tensione gate-source non deve superare ±20 V per evitare la tensione dell'ossido gate e garantire un funzionamento affidabile.
Come si comporta il dispositivo a temperature elevate?
È specificato per funzionare fino a un massimo di 175 °C, pertanto i progettisti devono tenere conto della riduzione di corrente e potenza con l'aumento della temperatura.
Quali contenitori e numero di pin sono disponibili per considerazioni di layout del circuito stampato?
Il componente è fornito in un contenitore SOIC‐8 con otto pin, adatto per progetti di ingombro SMD standard.
Quali sono gli standard relativi all'accettabilità dei materiali e dei processi?
Il componente è conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE e segue le specifiche dei materiali IEC 61249‐2‐21.
Quale tensione diretta o caratteristica del diodo del corpo è indicata?
la tensione diretta di -1,2 V è specificata per il comportamento di conduzione del diodo intrinseco.
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