MOSFET Vishay, canale Tipo P -60 V, 0.15 Ω, -2.4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Codice RS:: 256-7362
Codice costruttore:: SI4948BEY-T1-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P -60 V, 0.15 Ω, -2.4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:: 256-7362
Codice costruttore:: SI4948BEY-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	-2.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-60V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	Si4948BEY
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.15Ω
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	14.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.4W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	1.75mm
	Standard/Approvazioni	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id -2.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -60V
	Tipo di package SOIC
	Serie Si4948BEY
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.15Ω
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 1.75mm
	Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Standard automobilistico No

Datasheet - SI4948BEY-T1-E3

MOSFET serie Si4948BEY di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio -60 V, corrente di drenaggio continua -2,4 A - SI4948BEY-T1-E3

Questo MOSFET è un transistor a montaggio superficiale a canale P progettato per le attività di commutazione e controllo della potenza nei sistemi elettronici. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per l'uso su schede compatte in cui è richiesto un pacchetto SOIC e una gestione della potenza moderata. Il dispositivo è adatto per gli ingegneri che necessitano di un'opzione a canale P con carica di gate specifica e limiti termici per la progettazione a livello di circuito.

Caratteristiche e vantaggi:

• Dispositivo a canale P che supporta la tensione drain-source negativa per la commutazione high-side • Tensione nominale di drenaggio-sorgente di -60 V che consente applicazioni a tensione elevata • Corrente di drenaggio continua massima di -2,4 A che consente una gestione del carico moderata • Bassa resistenza all'accensione di 0,15 Ω che riduce le perdite di conduzione • Carica gate tipica 14,5 nC per facilitare un comportamento di commutazione prevedibile • Dissipazione di potenza 1,4 W per gestire il budget termico in layout ristretti

Applicazioni

• Adatto per interruttori high-side nei moduli di controllo motore • Ideale per la disconnessione del carico nei circuiti di gestione dell'alimentazione • Utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità nelle guide di alimentazione • Può essere utilizzato per la gestione della batteria e il controllo della carica • Adatto per assemblaggi SMD che richiedono transistor a canale P compatti

Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare durante la progettazione?

La tensione gate-source non deve superare ±20 V per evitare la tensione dell'ossido gate e garantire un funzionamento affidabile.

Come si comporta il dispositivo a temperature elevate?

È specificato per funzionare fino a un massimo di 175 °C, pertanto i progettisti devono tenere conto della riduzione di corrente e potenza con l'aumento della temperatura.

Quali contenitori e numero di pin sono disponibili per considerazioni di layout del circuito stampato?

Il componente è fornito in un contenitore SOIC‐8 con otto pin, adatto per progetti di ingombro SMD standard.

Quali sono gli standard relativi all'accettabilità dei materiali e dei processi?

Il componente è conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE e segue le specifiche dei materiali IEC 61249‐2‐21.

Quale tensione diretta o caratteristica del diodo del corpo è indicata?

la tensione diretta di -1,2 V è specificata per il comportamento di conduzione del diodo intrinseco.