MOSFET Vishay, canale N -60 V, 0.15 Ω, -2.4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4948BEY-T1-E3

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Codice RS:
256-7362
Codice costruttore:
SI4948BEY-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-60V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4948BEY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.15Ω

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

MOSFET serie Si4948BEY di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 2,4 A - SI4948BEY-T1-E3


Questo MOSFET a canale p è un transistor a montaggio superficiale progettato per funzioni di commutazione e analogiche in assemblaggi elettronici compatti. È progettato per applicazioni che richiedono una gestione della corrente moderata e un blocco della tensione all'interno di un pacchetto a semiconduttore che si monta direttamente sulla scheda a circuito stampato. Il dispositivo funziona in un ampio intervallo di temperature ed è conforme alle comuni norme sui materiali elettronici, il che lo rende adatto per l'uso in ambienti termici impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi:


• Bassa resistenza in stato attivo di 0,15 Ω che consente di ridurre le perdite di conduzione
• Capacità di blocco 60 V per la commutazione a media tensione
• Corrente di drenaggio continua di 2,4 A per una gestione prolungata del carico
• Tolleranza gate drive di 20 V che consente tensioni di controllo flessibili
• Carica gate tipica di 14,5 nC per un comportamento di commutazione prevedibile
• Dissipazione di potenza di 1,4 W che supporta carichi termici moderati

Applicazioni


• Adatto per la commutazione del carico della guida di alimentazione nell'elettronica di consumo
• Ideale per implementazioni di interruttori a polarità inversa o high-side
• Utilizzato con convertitori CC-CC compatti in schede con spazio limitato
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e circuiti di gestione dell'energia
• Adatto per il controllo della potenza a livello di segnale in moduli industriali

Quale contenitore e numero di pin devo pianificare sul circuito stampato?


Il componente viene fornito in un contenitore SOIC a 8 pin progettato per il montaggio in superficie, pertanto il design dell'ingombro deve corrispondere ai modelli di terra SOIC a 8 pin standard per giunti di saldatura affidabili.

Come si comporta a temperature estreme?


È classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in assemblaggi che presentano temperature di giunzione elevate o condizioni di avvio a freddo.

Quale caratteristica di tensione diretta è rilevante per i calcoli del margine del circuito?


Il dispositivo presenta una tensione diretta di -1,2 V in condizioni pertinenti al percorso di conduzione, che può essere utilizzata per stimare le cadute di tensione nei percorsi di potenza.

Esistono norme in materia di materiali o ambientali applicabili all'approvvigionamento?


Il componente è conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE e segue le linee guida IEC 61249-2-21 per le considerazioni relative ai materiali e alla composizione.

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