MOSFET Vishay, canale P, 150 mΩ, 3,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6283
Codice costruttore:: SI9407BDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 150 mΩ, 3,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,445 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6283
Codice costruttore:: SI9407BDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si9407BDY, P-Channel 60V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	14,5 nC a 10 V
Altezza	1.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 150 mΩ, 3,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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