MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.12 Ω Miglioramento, 4.7 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-6283
Codice costruttore:
SI9407BDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si9407BDY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Tensione diretta Vf

-0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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