MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.12 Ω Miglioramento, 4.7 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
165-6283
Codice costruttore:
SI9407BDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

Si9407BDY

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Tensione diretta Vf

-0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Altezza

1.55mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.