MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.12 Ω Miglioramento, 4.7 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-6283
Codice costruttore:
SI9407BDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

Si9407BDY

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.55mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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