MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0032 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-7275
Codice costruttore:
SI4164DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4164DY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.72V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Standard/Approvazioni

JEDEC JS709A, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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