MOSFET Vishay, canale N, 3,9 mΩ, 30 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7275
Codice costruttore:: SI4164DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 3,9 mΩ, 30 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,581 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,581 €	1.452,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-7275
Codice costruttore:: SI4164DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si4164DY, N-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	30 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	6 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	62 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4mm
Altezza	1.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 3,9 mΩ, 30 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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