MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0032 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-7275
Codice costruttore:
SI4164DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4164DY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Tensione diretta Vf

0.72V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC JS709A, RoHS

Altezza

1.55mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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