2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, 19.5 mΩ, 7.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

3,26 €

(IVA esclusa)

3,975 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 2465 unità in spedizione dal 02 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +0,652 €3,26 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3327
Codice costruttore:
SI4214DDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

7.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

150°C

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati