2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, 19.5 mΩ, 7.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

3,26 €

(IVA esclusa)

3,975 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2460 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +0,652 €3,26 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3327
Codice costruttore:
SI4214DDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

7.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.