MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-2750
Codice costruttore:: SI4162DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

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Codice RS:: 165-2750
Codice costruttore:: SI4162DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A N
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	13,6 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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