MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 710-3323
Codice costruttore:: SI4162DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 5**

0,844 €

(IVA esclusa)

1,03 €

(IVA inclusa)

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 3 giorni lavorativi a partire dal 11/03/2025.*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
5 - 45	0,844 €	4,22 €
50 - 245	0,796 €	3,98 €
250 - 495	0,72 €	3,60 €
500 - 1245	0,676 €	3,38 €
1250 +	0,634 €	3,17 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 710-3323
Codice costruttore:: SI4162DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A N
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	13,6 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

Link consigliati