MOSFET Vishay, canale N 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 13.6 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4162DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3323
Codice costruttore:
SI4162DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si4162DY

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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