MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 20 mΩ Miglioramento, 13.4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4403CDY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
121-9657
Codice costruttore:
SI4403CDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4403CDY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Tensione diretta Vf

-0.66V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.55mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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