MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 13,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-9657
Codice costruttore:: SI4403CDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 13,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 121-9657
Codice costruttore:: SI4403CDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	13,4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 8 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 13,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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