MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 13,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-9657
Codice costruttore:: SI4403CDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 13,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Unità

0,609 €

(IVA esclusa)

0,743 €

(IVA inclusa)

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 2 giorni lavorativi a partire dal 12/02/2026.*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per Nastro**
10 - 90	0,609 €	6,09 €
100 - 240	0,572 €	5,72 €
250 - 490	0,517 €	5,17 €
500 - 990	0,488 €	4,88 €
1000 +	0,457 €	4,57 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 121-9657
Codice costruttore:: SI4403CDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	13,4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.55mm

MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 13,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Link consigliati