MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 24 mΩ Miglioramento, 8.1 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4435DDY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3339
Codice costruttore:
SI4435DDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si4435DDY

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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