MOSFET Vishay, canale P, 112 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 710-3238
Codice costruttore:: SI2301CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 112 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 20

0,268 €

(IVA esclusa)

0,327 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
20 - 180	0,268 €	5,36 €
200 - 480	0,215 €	4,30 €
500 - 980	0,161 €	3,22 €
1000 - 1980	0,134 €	2,68 €
2000 +	0,121 €	2,42 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 710-3238
Codice costruttore:: SI2301CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	112 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	860 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C