MOSFET Vishay, canale N, 51 mΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9036
Codice Distrelec:: 304-02-276
Codice costruttore:: SI2318CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 51 mΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 787-9036
Codice Distrelec:: 304-02-276
Codice costruttore:: SI2318CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,6 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	51 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	5,8 nC a 10 V
Larghezza	1.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale N, 51 mΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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