MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.093 Ω Miglioramento, 4.6 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie SI3476DV-T1-GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

351,00 €

(IVA esclusa)

429,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 6000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,117 €351,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
146-4442
Codice costruttore:
SI3476DV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

Si3476DV

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.093Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.1mm

Larghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza TrenchFET®

Categorizzazione del materiale:

APPLICAZIONI

Interruttore di distribuzione di carico per applicazioni portatili

Interruttore retroilluminazione a LED

Convertitore CC/CC

Convertitore sovratensione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.