MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.093 Ω Miglioramento, 4.6 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie SI3476DV-T1-GE3

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Codice RS:
152-6369
Codice costruttore:
SI3476DV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

Si3476DV

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.093Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Larghezza

1.7mm

Lunghezza

3.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza TrenchFET®

Categorizzazione del materiale:

APPLICAZIONI

Interruttore di distribuzione di carico per applicazioni portatili

Interruttore retroilluminazione a LED

Convertitore CC/CC

Convertitore sovratensione

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