MOSFET Vishay, canale N, 126 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 152-6369
Codice costruttore:: SI3476DV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 126 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 152-6369
Codice costruttore:: SI3476DV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,6 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	126 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	3,6 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	4,9 nC a 10 V
Larghezza	1.7mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 126 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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