MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 42 mΩ Miglioramento, 5.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
165-6910
Codice costruttore:
SI2366DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2366DS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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