MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 42 mΩ Miglioramento, 5.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2366DS-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

7,98 €

(IVA esclusa)

9,74 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 360 unità in spedizione dal 20 aprile 2026
  • Più 2420 unità in spedizione dal 27 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 +0,399 €7,98 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3132
Codice costruttore:
SI2366DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si2366DS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.85V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati