MOSFET Vishay, canale N, 42 mΩ, 5,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3132
Codice costruttore:: SI2366DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 42 mΩ, 5,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 812-3132
Codice costruttore:: SI2366DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si2366DS, N-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	42 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	6,4 nC a 10 V
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 42 mΩ, 5,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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