MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 42 mΩ Miglioramento, 5.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2366DS-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

7,32 €

(IVA esclusa)

8,94 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 200 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 2640 unità in spedizione dal 13 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 +0,366 €7,32 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3132
Codice costruttore:
SI2366DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2366DS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati