MOSFET Vishay, canale N 30 V, 42 mΩ Miglioramento, 5.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2366DS-T1-GE3

Codice RS:: 812-3132
Codice costruttore:: SI2366DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N 30 V, 42 mΩ Miglioramento, 5.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2366DS-T1-GE3

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Codice RS:: 812-3132
Codice costruttore:: SI2366DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	5.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	Si2366DS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	42mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	850mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.1W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6.4nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	1.02mm
	Lunghezza	3.04mm
	Larghezza	1.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 5.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOT-23
	Serie Si2366DS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 42mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 850mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.1W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.4nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 1.02mm
	Lunghezza 3.04mm
	Larghezza 1.4mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET serie Si2366DS di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 5,8 A - SI2366DS-T1-GE3

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N compatto progettato per la commutazione a montaggio superficiale in circuiti elettronici a bassa tensione. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto a ruoli di gestione dell'alimentazione in cui sono richieste una conduzione efficiente e una commutazione moderata. Il contenitore è un fattore di forma SOT-23 comune per l'uso in assemblaggi densamente popolati.

Caratteristiche e vantaggi:

• Tensione di drenaggio massima di 30 V che consente la commutazione dell'alimentazione a bassa tensione
• Corrente di drenaggio continua di 5,8 A per una gestione prolungata della corrente
• Rds(on) bassi di 42 mΩ che riducono le perdite di conduzione
• La tensione diretta di 0,85 V supporta condizioni di azionamento efficienti
• Carica gate tipica 6,4 nC che consente energia di commutazione controllata
• Dissipazione di potenza di 2,1 W per applicazioni a limitazione termica

Applicazioni

• Adatto per la distribuzione dell'alimentazione USB e la commutazione del carico
• Ideale per l'uso con lo stadio di uscita del convertitore CC-CC
• Utilizzato con circuiti di gestione della batteria e di ricarica
• Può essere utilizzato per la commutazione del lato basso dell'azionamento del motore
• Utile nella protezione della guida di alimentazione dell'elettronica di consumo

Quale contenitore devo aspettarmi per l'assemblaggio automatizzato?

Viene fornito in un contenitore SOT-23 a montaggio superficiale compatibile con i processi pick-and-place e reflow standard.

Quanto tollera bene gli ambienti termici difficili?

Classificato per il funzionamento da -55 °C fino a 150 °C, accoglie un'ampia gamma di temperature ambientali e di giunzione elevate.

Quale ampiezza di gate drive è consentita?

Il dispositivo accetta fino a ±20 V tra gate e sorgente, consentendo un'ampia gamma di tensioni di azionamento entro questo limite.

Quanti pin sono disponibili per l'instradamento del circuito stampato?

Utilizza una configurazione a tre pin tipica dei MOSFET a piccolo segnale, semplificando il layout dell'ingombro e il routing.