MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 42 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2347DS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7778
Codice costruttore:
SI2347DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.1W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Larghezza

2.64mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 42mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una potenza nominale massima di 1,7 W e corrente di drain continua di 5A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• convertitore CC/CC

• interruttore di distribuzione di carico

• interruttore adattatore per notebook

• Gestione dell'alimentazione

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

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