MOSFET Vishay, canale Tipo P 8 V, 35 mΩ Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2305CDS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3248
Codice costruttore:
SI2305CDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

8V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2305CDS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

960mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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