MOSFET Vishay, canale Tipo P 80 V, 11 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie Si2387DS-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

16,675 €

(IVA esclusa)

20,35 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 23 luglio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 2250,667 €16,68 €
250 - 6000,633 €15,83 €
625 - 12250,468 €11,70 €
1250 - 24750,432 €10,80 €
2500 +0,401 €10,03 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2814
Codice costruttore:
Si2387DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale P TrenchFET Gen IV Vishay è utilizzato per interruttore di carico, protezione dei circuiti e controllo dell'azionamento.

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.