MOSFET Vishay, canale Tipo P 80 V, 11 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie Si2387DS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2814
Codice costruttore:
Si2387DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale P TrenchFET Gen IV Vishay è utilizzato per interruttore di carico, protezione dei circuiti e controllo dell'azionamento.

Testato al 100% Rg e UIS

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