MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.33 Ω Miglioramento, 2.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
146-1425
Codice costruttore:
SI2303CDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.33Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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