MOSFET Vishay, canale P, 190 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-1425
Codice costruttore:: SI2303CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 190 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,164 €

(IVA esclusa)

0,20 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,164 €	492,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 146-1425
Codice costruttore:: SI2303CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 1.9A
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	2 nC a 4,5 V, 4 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 190 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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