MOSFET Vishay, canale P, 0,138 O, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale P doppio per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 88mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 3,5 a e una potenza nominale massima di 1,8 W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. È dotato di un'applicazione negli interruttori di carico per dispositivi portatili. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007