MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 75 mΩ Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

615,00 €

(IVA esclusa)

750,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,205 €615,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-6905
Codice costruttore:
SI2323DDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2323DDS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-0.79V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati