MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 75 mΩ Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2323DDS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3110
Codice costruttore:
SI2323DDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

Si2323DDS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

-0.79V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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