MOSFET Vishay, canale P, 303 mΩ, 1,75 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3123
Codice costruttore:: SI2337DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 303 mΩ, 1,75 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 812-3123
Codice costruttore:: SI2337DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si2337DS, P-Channel 80V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,75 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	303 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	11 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-50 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale P, 303 mΩ, 1,75 A, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor