MOSFET Vishay, canale Tipo P 80 V, 0.303 Ω Miglioramento, 2.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2337DS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3123
Codice costruttore:
SI2337DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.303Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-50°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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