MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 180 mΩ Miglioramento, 2.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SQ2301ES-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
819-3908
Codice costruttore:
SQ2301ES-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

SQ Rugged

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, serie SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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