MOSFET Vishay, canale P, 108 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9042
Codice costruttore:: SI2319CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 108 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

40 In consegna il giorno lavorativo successivo per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzino in Italia)

90 Entro 2 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa).

Prezzo per 1pz in confezione da 10

0,189 €

(IVA esclusa)

0,231 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
10 +	0,189 €	1,89 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 787-9042
Codice costruttore:: SI2319CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

CARATTERISTICHE
• senza alogeni In Conformità alla norma IEC 61249-2-21
Definizione
MOSFET di potenza • TrenchFET®
• 100% Rg Testato
• Conformità alla direttiva RoHS 2002/95/CE

APPLICAZIONI
• Interruttore Di Carico
• convertitore CC/CC

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,4 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	108 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	13,6 nC a 10 V
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C