MOSFET Vishay, canale P, 108 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9042
Codice costruttore:: SI2319CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 108 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 787-9042
Codice costruttore:: SI2319CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,4 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	108 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	13,6 nC a 10 V
Lunghezza	3.04mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale P, 108 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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