MOSFET Vishay, canale Tipo P 40 V, 108 mΩ Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2319CDS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9042
Codice costruttore:
SI2319CDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

Si2319CDS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

108mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

CARATTERISTICHE

• senza alogeni In Conformità alla norma IEC 61249-2-21

Definizione

MOSFET di potenza • TrenchFET®

• 100% Rg Testato

• Conformità alla direttiva RoHS 2002/95/CE

APPLICAZIONI

• Interruttore Di Carico

• convertitore CC/CC

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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