MOSFET Vishay, canale P, 10 Ω, 185 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9018
Codice costruttore:: TP0610K-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 10 Ω, 185 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 787-9018
Codice costruttore:: TP0610K-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

TP0610K, P-Channel 60V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	185 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	10 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	350 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.04mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	1,7 nC a 15 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale P, 10 Ω, 185 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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