MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 19 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2333DDS-T1-GE3

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MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 19 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2333DDS-T1-GE3
Codice RS
787-9222

1pz in confezione da 10

3,48 €

(IVA esclusa)

4,25 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
919-4220
Codice costruttore:
SI2333DDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2333DDS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4mm

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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