MOSFET Vishay, canale P, 19 Ω, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4220
Codice costruttore:: SI2333DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 19 Ω, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,121 €

(IVA esclusa)

0,148 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,121 €	363,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4220
Codice costruttore:: SI2333DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	6 A
Tensione massima drain source	12 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	19 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	23 nC a 8 V
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale P, 19 Ω, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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