MOSFET Vishay, canale P, 0,04 O, 7,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 180-7274
Codice costruttore:: SI2369DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 0,04 O, 7,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,131 €

(IVA esclusa)

0,16 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,131 €	393,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 180-7274
Codice costruttore:: SI2369DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Datasheet

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 29mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 30V. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Ha una corrente di drain continua di 7,6 a e massima dissipazione di potenza di 2,5 W. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• convertitore CC/CC
• per il mobile computing
• interruttore di distribuzione di carico
• interruttore adattatore per notebook

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	7,6 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	0,04 O
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Numero di elementi per chip	1