MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 40 mΩ Miglioramento, 7.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
180-7274
Codice costruttore:
SI2369DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

7.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.12mm

Larghezza

2.64 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 29mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 30V. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Ha una corrente di drain continua di 7,6 a e massima dissipazione di potenza di 2,5 W. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• convertitore CC/CC

• per il mobile computing

• interruttore di distribuzione di carico

• interruttore adattatore per notebook

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

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