MOSFET Vishay, canale P, 0,04 O, 7,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 29mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 30V. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Ha una corrente di drain continua di 7,6 a e massima dissipazione di potenza di 2,5 W. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• convertitore CC/CC
• per il mobile computing
• interruttore di distribuzione di carico
• interruttore adattatore per notebook

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato