MOSFET Vishay, canale P, 180 mΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 177-7625
Codice costruttore:: SQ2301ES-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 180 mΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 177-7625
Codice costruttore:: SQ2301ES-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SQ2301ES-T1-GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,2 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	SQ Rugged
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	180 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.45V
Dissipazione di potenza massima	3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	5 nC a 4,5 V
Lunghezza	3.04mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale P, 180 mΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, serie SQ Rugged, Vishay Semiconductor

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