MOSFET Vishay, canale P, 67,5 mΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6934
Codice costruttore:: SI2365EDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 67,5 mΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,077 €

(IVA esclusa)

0,094 €

(IVA inclusa)

62600 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 3000	0,077 €	231,00 €
6000 +	0,073 €	219,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6934
Codice costruttore:: SI2365EDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si2365EDS, P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,7 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	67,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	23,8 nC a 8 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Larghezza	1.4mm
Minima temperatura operativa	-50 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale P, 67,5 mΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Link consigliati