MOSFET Vishay, canale P, 67,5 mΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3139
Codice costruttore:: SI2365EDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 67,5 mΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 812-3139
Codice costruttore:: SI2365EDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si2365EDS, P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,7 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	67,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	23,8 nC a 8 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-50 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale P, 67,5 mΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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