MOSFET Vishay, canale N, 41 mΩ, 5,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-4438
Codice costruttore:: SI2374DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 41 mΩ, 5,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 25/07/2025.

Aggiunto

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,138 €

(IVA esclusa)

0,168 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
3000 - 3000	0,138 €	414,00 €
6000 +	0,131 €	393,00 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 146-4438
Codice costruttore:: SI2374DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Vishay Semiconductor SI2374DS-T1-GE3 è un dispositivo a 3 pin, 20 V, 5. MOSFET a canale N a montaggio superficiale da 9 A generalmente utilizzato per interruttore di distribuzione di carico e gestione dell'alimentazione.

Senza alogeni in conformità a IEC 61249-2-21 definizione
MOSFET di potenza TrenchFET®
Test Rg al 100%

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,9 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±8 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	13,4 nC a 10 V
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 146-4438
Codice costruttore:: SI2374DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 41 mΩ, 5,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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