MOSFET Vishay, canale N 30 V, 75 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2304DDS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3117
Codice costruttore:
SI2304DDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2304DDS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

800mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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