MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 75 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2304DDS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3117
Codice costruttore:
SI2304DDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si2304DDS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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