MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3117
Codice costruttore:: SI2304DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 50

0,285 €

(IVA esclusa)

0,348 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
50 - 450	0,285 €	14,25 €
500 - 1200	0,20 €	10,00 €
1250 - 2450	0,157 €	7,85 €
2500 - 4950	0,143 €	7,15 €
5000 +	0,129 €	6,45 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 812-3117
Codice costruttore:: SI2304DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,6 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	75 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	4,5 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm