MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 40 V, 100 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 178-3663
- Codice costruttore:
- Si2319DDS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay Siliconix
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-3663
- Codice costruttore:
- Si2319DDS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay Siliconix
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay Siliconix | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.7W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay Siliconix | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.7W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.02mm | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Esente
- Paese di origine:
- CN
vishay
Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 75mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 1,7 W e una corrente di drain continua di 3,6 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è rispettivamente di 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.
MOSFET di potenza TrenchFET •
Applications
• interruttore batteria
• interruttore di carico
• comando azionamento motore
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• Rg testato
• UIS testato
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