MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 40 V, 100 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

435,00 €

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Codice RS:
178-3663
Codice costruttore:
Si2319DDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN

vishay


Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 75mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 1,7 W e una corrente di drain continua di 3,6 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è rispettivamente di 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.

MOSFET di potenza TrenchFET •

Applications


• interruttore batteria

• interruttore di carico

• comando azionamento motore

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

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