MOSFET Vishay Siliconix, canale P, 100 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-3663
Codice costruttore:: Si2319DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

MOSFET Vishay Siliconix, canale P, 100 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 178-3663
Codice costruttore:: Si2319DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,6 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	12,5 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Vishay Siliconix, canale P, 100 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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