MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 40 V, 100 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie Si2319DDS-T1-GE3

Codice RS:: 178-3853
Codice costruttore:: Si2319DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 40 V, 100 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie Si2319DDS-T1-GE3

Prezzo per 1 confezione da 50 unità*

23,75 €

(IVA esclusa)

29,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Ultimi pezzi su RS

4050 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità	Per unità	Per confezione*
50 +	0,475 €	23,75 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-3853
Codice costruttore:: Si2319DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay Siliconix
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	3.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	100mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.7W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12.5nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.04mm
	Altezza	1.02mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay Siliconix
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 3.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package SOT-23
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.7W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.5nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.04mm
	Altezza 1.02mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet

Esente

Paese di origine:: CN

vishay

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 75mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 1,7 W e una corrente di drain continua di 3,6 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è rispettivamente di 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.

MOSFET di potenza TrenchFET •

Applications

• interruttore batteria

• interruttore di carico

• comando azionamento motore

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato