MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 68 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2300DS-T1-GE3

Codice RS:: 180-7944
Codice costruttore:: SI2300DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 68 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2300DS-T1-GE3

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Codice RS:: 180-7944
Codice costruttore:: SI2300DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	3.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	68mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.1W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	12 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.04mm
	Altezza	1.12mm
	Larghezza	2.64 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 3.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 68mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.1W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.04mm
	Altezza 1.12mm
	Larghezza 2.64 mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 12V. Ha una resistenza drain-source di 68mohm a una tensione gate-source di 4,5 V. Ha una dissipazione di potenza massima di 1,7 W e corrente di drain continua di 3,6 A. La tensione minima e massima di pilotaggio per questo transistore sono rispettivamente 2,5 V e 4,5 V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• convertitore CC/CC per dispositivi portatili

• interruttore di distribuzione di carico

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato